Samsung poinformował o uruchomieniu masowej produkcji nośników pamięci na podstawie kości pamięci V-NAND szóstej generacji. Nowa generacji pojawiła się dokładnie 13 miesięcy po premierze V-NAND 5 generacji. Producent w końcu przekroczył barierę 100-warstwowych kości i tym samym będzie pierwszym na świecie, który je wyprodukuje. Zwiększy się wysokość całego stosu, a także wydajność o 10% oraz energooszczędność o 15 procent.
Jak wiemy, im większa ilość pamięci na sobie, tym są one bardziej podatne na błędy oraz opóźnienia. Aby przezwyciężyć te ograniczenia, firma Samsung wprowadziła zoptymalizowany pod względem prędkości układ scalony, który umożliwia osiągnięcie najszybszej prędkości przesyłania danych. Przy odczycie opóźnienia będą wynosiły do 45 mikrosekund, a przy zapisie do 450 mikrosekund.
Ponadto, liczba otworów w kanale wymagana do utworzenia układu scalonego o gęstości 256 Gb zmniejszyła się do 670 milionów otworów z ponad 930 milionów w poprzedniej generacji, umożliwiając zmniejszenie rozmiarów układu scalonego i zmniejszenie liczby etapów procesu. Przynosi to ponad 20-procentową poprawę wydajności produkcji.
Dzięki tej zoptymalizowanej konstrukcji Samsung będzie w stanie zaoferować rozwiązania V-NAND szóstej generacji z ponad 300 warstwami. Po prostu zostaną nałożone na siebie trzy dotychczasowe stosy. Nie będzie przy tym żadnych zmian w wydajności oraz niezawodności pamięci.
Na razie nie wiadomo, kiedy na rynku pojawią się produkty z nowymi pamięciami. Samsung planuje także zaoferować 512 Gb 3-bitowe V-NAND SSD w drugiej połowie tego roku.
